Cálculo de la capacitancia diferencial en transistores de efecto de campo en GaAs

Abstract

Se efectúa el cálculo de la capacitancia diferencial para dos transistores de efecto de campo (FET) con dopamiento en una y dos capas atómicas (d-FET y ALD-FET) en una matriz de GaAs, haciendo uso de un modelo sencillo que proponemos para la descripción del potencial de cada dispositivo. Este modelo nos proporciona la forma de la banda de conducción para este par de dispositivos. Además nos da el ancho de la región de empobrecimiento que usamos posteriormente para calcular la capacitancia diferencial. Demostramos que el método experimental Capacitancia-Voltaje (C-V) convencional, comúnmente usado para extraer información de los parámetros del dispositivo, no es aplicable en estos casos. Para extraer esta información es necesario utilizar el modelo propuesto en este artículo

We calculate the differential capacitance for two Field Effect Transistors (FET) with one and two delta-doped layers (d-FET and ALD-FET) in a GaAs matrix using a simple model, which is proposed to describe the potential profile. This model gives the shape of the conduction band for these two particular devices. It also provides the depletion region width used to calculate the differential capacitance. We show that the conventional experimental Capacitance-Voltage (C-V) method used to seek information about the parameters of the device is not the correct one in this case. In order to be able to extract this information it is necessary to use the model proposed in this paper